اسلوب ممتاز لخفض استهلاك الطاقة فى دوائر ال FET الرقمية إلى أدنى مستوى (أقل من 40 نانو وات ) وهو استخدام مذدوج من نوعين مختلفين أحدهما قناة موجبة والآخر قناة سالبة (N- MOSFET + P MOSFET) فى شريحة واحدة تسمى (CMOS) أحدهما يمثل حمل للآخر ، ودائما يكون أحدهما (ON) والآخر OFF وبالتالى لا تيار ملموس فى الدائرة
فى ش (1) دائرة عاكس من مذدوج Q1 (قناة- P) والمرافق له Q2 (قناة -N) متصلان على التوالى وقضبيهما D مشترك وكذلك بوابتهما ، بالمنطق السالب ( 0= 0فولت ، 1= -vss ) ففى حالة المدخل Vin=0 فالترانسستور Q1 فى حالة التشبع (ON) بينما Q1 فى حالة قطع فيظهر الجهد السالب Vss فى الخرج أى منطق (1) وتلاحظ أن المسار من Vssإلى الأرضى مفتوح أى لا تيار ملموس فى الدائرة ومن ثم ممكن القول بأنه لاطاقة مستهلكة فى مقاومات القناتين
ترانسستور Complementary MOSFET
اسلوب رائع لخفض استهلاك الطاقة فى دوائر ال FET الرقمية إلى أدنى مستوى (أقل من 40 نانو وات ) وهو استخدام مذدوج من نوعين مختلفين (N- MOSFET + P MOSFET) فى شريحة واحدة تسمى (CMOS) أحدهما يمثل حمل للآخر ، ودائما يكون أحدهما (ON) والآخر OFF وبالتالى لا تيار ملموس فى الدائرة
فى ش (1) دائرة عاكس من مذدوج Q1 (قناة- P) ومرافق له Q2 (قناة -N) متصلان على التوالى وقضبيهما D مشترك وكذلك بوابتهما ، بالمنطق السالب ( 0= 0فولت ، 1= -vss ) ففى حالة المدخل Vin=0 فالترانسستور Q1 فى حالة التشبع (ON) بينما Q1 فى حالة قطع فيظهر الجهد السالب Vss فى الخرج أى منطق (1) وتلاحظ أن المسار من Vssإلى الأرضى مفتوح أى لا تيار ملموس فى الدائرة ومن ثم ممكن القول بأنه لاطاقة مستهلكة فى مقاومات القناتين