معظم تطبيقات ترانسستور FET فى الدوائر والنظم الرقمية مثل البوابات المنطقية والمسجلات الرقمية ومصفوفات الذاكرة بنوعيها ROM ، RAM رغم بطء سرعته مقارنة بالترانسستور BJT إلا أن ضآلة استهلاكه للطاقة وكثافة تجميع دوائره فى شرائح صغيرة تفضله على نظيره من ال BJT خاصة فى تطبيقات السرعات المنخفضة .
ترانسستور المجال كعاكس (بوابة NOT)
الوحدة البنائية فى البوابات المطقية والدوائر الرقمية هى بوابة العاكس NOT والتى مررنا بها فى باب البوابات المنطقية واستخدمنا فيها ترانسستور BJT يعمل بين منطقة التشبع Saturation (ON) ومنطقة القطع Off ، ولترانسستور ال FET نفس الأداء كعاكس Inverter .
فى ش(1) MOSFET من نوع المحسن Enhancement –N ، وكما علمنا هذا النوع عبارة عن سوتش NO أى فى حال جهد البوابة صفر فولت فلا قناة توصيل موجودة بين قطبيه (D-S) ، أما مع وجود جهد على البوابة يتحول إلى موصل بين قطبيه .
وكما فى ش(1) شمالا منحنى الخواص للترانسستور حيث داخل المنطقة الصفراء فسلوكه مكبر وفيه تيار الخرج Id يتناسب وجهد البوابة ، أما مع زيادة جهد البوابة إلى منطقة التشبع والتى فيها لا يتوقف شدة التيار على تغير جهد البوابة بل يصبح فى اعلى قيمة له والتى تحددها مقاومة الحمل له ، وعندها يكون التيار مساويا للجهد Vdd على مقاومة الحمل ويصل جهد الخرج إلى صفر تقريبا (o.2 v) ، ومع جهد صفر للبوابة يدخل الترانسستور منطقة القطع فلا تيار يمر به ويظهر الجهد Vdd بالخرج ، وتمثل المنطقة الخضراء منطقة القطع والتى فيها Vgs≤0 v .
ش(3) ، ش(2) يمثلان الترانسستور كعاكس (بوابة NOT) ففى (2) جهد البوابة (المدخل) صفر فولت ( منطق 0) فالسوتش مفتوح فالخرج Vdd (منطق 1) ، وفى ش(3) جهد البوابة(المدخل) Vdd (منطق 1) فالترانسستور موصل فى وضع تشبع فالجهد يُفقد كله فى مقاومة الحمل ليكون الخرج قريبا من الصفر (منطق 0). (مقاومة قناة التوصيل Rds صغيرة جدا 0.02 أوم )
ومن دائرة بوابة NOT لل MOSFET ممكن تكوين غيرها من البوابات كما سنرى قادما https://wp.me/paiFWG-q2
بوهر للتدريب الفنى الهندسة الكهربية والكهروميكانيكية 
