رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-jG
المناطق التشغيلية للترانسستور operation Modes For transistors
تناولنا فى المحاضرات السابقة عن الترانسستور التيارات والجهود وخط الحمل لدائرة الخرج ومعامل النقل Transfer Function (Gain) فى أوضاع الترانسستور المختلفة (CB-CE-CC) وترددت مصطلحات Active (فعال) ، وتشبع Saturation وقطع Off والتى تمثل مناطق تشغيلية محتملة للترانسستور وهنا نتناولها تفصيلا لأهميتها وكون قيمها أساسية فى تصميم دوائر الترانسستور وسنتخذ النوع PNP من بلورة الجرمانيوم فى وضع مشترك الباعث مثالا لبيان تلك المناطق وسلوك الترانسستور فيها
المنطقة الفاعلة Active Region
وهى تلك المنطقة التى يكون فيها خرج الترانسستور (تيار المجمع ) محكوم بقيمة تيار الدخل (Ib) بالعلاقة الخطية Ic=βIb والموضحة فى منحنى الخواص لدائرة الخرج ش (1) بالمنطقة ذات اللون الخضر والتى فيها ومن شروطها ان وصلة المجمع فى جهد انحياز عكسى (Reverse Bias) بعيد عن الصفر فولت ، ووصلة الباعث فى جهد انحياز امامى يتعدى الجهد الحاجز للوصلة [ 0,1v-(0,5v) للجرمانيوم أو السليكون] والذى بعده يدخل الترانسستور فى حيز المنطقة الفاعلة بجهد o,2v(0.7v) ، وواضح من المحنيات انه عند قيمة ثابتة للاحياز العكسى Vce فإن تيار المجمع Ic يتغير طرديا بتغير تيار القاعدة Ib .، ومن خط الحمل والذى به تتحدد نقطة التشغيل للترانسستور (Q)فى المنطقة الفعالة ( كمكبر ) نلاحظ أنه كلما قلت قيمة الجهد العكسى لوصلة المجمع Vce متجهة نحو الصفر كلما زاد تيار المجمع Ic حتى يصل إلى أقصاه (تشبعا) عند تقاطعه مع محور التيار لتصبح قيمته العظمى (Vcc/Rl) وعندها يدخل الترانسستور منطقة التشبع (Saturation) أى وصول تيار المجمع إلى أقصى قيمة له واعتماده فى قيمته على مقاومة الحمل فقط ، وجهد الخرج يصل إلى القاع (Vce ∞0.2 v) ، ونتابع فى القادم منطقة التشبع ومنطقة القطع
رابط ما بعده : https://wp.me/paiFWG-k5