الترانسستور كسوتش (Transistor Switching Mode)
مقدمة
فى المحاضرة https://wp.me/paiFWG-kn بيان وشرح الاوضاع التشغيلية للترانسستور (فعال – متشبع – قاطع)( Active – Saturation- Off)
مناطق التشغيل الثلاث فى دوائر الترانسستور
الترانسستور كعنصر ثنائى الحالة (Binary State)
والوضع التشغيلى المتناوب بين التشبع والقطع فى غاية الاهمية وجدير بالدراسة المستفيضة فقد كان بمثابة الشرارة التى احدثت ثورة فى عالم تكنولوجيا الاتصالات والتحكم واللبنة الأولى فى الهندسة الرقمية والتحكم الرقمى
توظيف الترانسستور كعنصر ثنائى الحالة (Binary) للعمل كسوتش أى بين وضعى التشبع والقطع أطاح بالريلاى الكهروميكانيكى من على عرش نظم التحكم بعد تربعه عليه عقودا بلا منافس
التحليل الرياضى لدائرة الترانسستور ثنائى الحالة
فى الشكل ترانسستور NPN من السليكون ومعامل النقل لتيار القاعدة β =100 ولكى يعمل فى نطاق التشبع نجرى التحليل كالآتى :-
أولا : جهود الوصلتين فى منطقة التشبع هو Vce=0.2v ، 0.8 = Vbe كما الموضح فى الجدول فى المحاضرة السابقة
ثانيا : يتم استخراج قيم التيار فى دائرتى الخرج والدخل من قانون كيرشوف لجهود الدائرة الكهربية المغلقة
فى دائرة الخرج
6-2000Ic -0.2=0
5.8=2000Ic
Ic=5.8/2000=2.9 ma
Ic=βIb
(Ib=2.9/100=0.029μa (1
من دائرة الدخل وبتطبيق قانون كيرشوف
6-100000Ib-0.8=0
(Ib=5.2/100000=0.o52μa (2
من (1) ، (2) أقل تيار يحدث عنده تشبع هو 0.029μa والتيار من دائرة القاعدة 0.052μa أكبر منه أى أن الترانسستور بتلك القيم من المقاومات يعمل فعلا فى منطقة التشبع
لو أن بدائرة دخل الترانسستور مفتاح يوصل البطارية 6v للقاعدة فى وضع وإلى الأرضى فى وضع آخر لتكن لدينا نبضة مستطيلة بيقيمة 6v فى المدخل فيدخل الترانسستور منطقة التشبع ويكون الخرج 0.2vوعندما تختفى النبضة (جهد صفر) فى المدخل يتحول الترانسستور الى منطقة القطع أى تيار المجمع (0) فيكون الجهد فى الخرج Vce=6v وبالتالى اصبح لدينا سوتش يعمل On/Off بديلا عن الريلاى الكهروميكانيكى المعروف وكذلك عاكس يعمل كبوابة منطقية (NOT) والذى شرحناه تفصيلا فى باب البوابات المنطقية والدوائر الرقمية
تابع المحاضرة التالية : https://wp.me/paiFWG-kO