بوهر للتدريب الفنى الهندسة الكهربية والكهروميكانيكية 
رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-8b
الثنائى (Diode) فى وضع التغذية الأمامية (Forward Bias)
رأينا الثنائى فى وضع الانحياز العكسى Reverse Bias أى أن الأنود سالب بالنسبة للكاثود من تغذية خارجية واختصارا أنه فى هذا الوضع فإن الجهد الحاجز يزداد سالبية بما يضمن استقرار الوصلة وينشأ تيار عكسي فى الوصلة أى من الكاثود للأنود قيمته ثابتة ومتدنية وبالميكرو أمبير يسمى تيار التشبع العكسى I0satt ، أما فى حالة الأنود موجب بالنسبة للكاثود (Forward Bias) ش (2) ، فإن الجهد الحاجز سيقل فتتناقص المنطقة منزوعة الشحنات (X) ش (1) وتصبح أقل عرضا كما فى ش(3) فيعود تيار الانتشار للظهور ، وفى حال قيمة البطارية أقل كثيرا من الجهد الحاجز وأكبر من الصفر تستقر الوصلة على تيار موجب ضئيل للغاية هو نفس تيار التشبع العكسى ، بزيادة جهد البطارية يقل عرض الفاصل للوصلة ويتزايد التيار ش(5) بشكل اسى ومع اقتراب قيمته من قيمة الجهد الحاجز يتزايد التيار زيادة عالية بشكل خطى يكاد يكون موازيا لمحور التيار وعندها يكون العرض الفاصل للوصلة صغير جدا جدا ولكنه أبدا لن يصل إلى الصفر .
ويمكن تقسيم منحنى الخواص (التيار – الجهد) للثنائى فى وضع التغذية الامامية (Forward –Bias)
منطقة جهد التغذية يساوى أو أدنى من) Voff ( وهو جهد القطع لأى تيار وهو ليس قطعا باتا بل التيار بالنانو أمبيروهو بالنسبة لدايود من السليكون) 0,4v (وللجرمانيوم تقريبا صفر
منطقة التوصيل Cut In وتبدأ بوصول الجهد الخارجى على الوصلة إلى قيمة تيار ملموس وتبدأ قيمته فى التزايد اسيا مع زيادة الجهد وقيمته لثنائى السليكون( 0,6 v ) والجرمانيوم ( 0,2v).
منطقة فيها الجهد الخارجى قارب على جهد المنطقة (X ) وفيها زيادة التيار عالية جدا جدا وأكثر حساسية لأدنى زيادة فى الجهد وكما هو واضح من منحنى الخواص للثنائى فى وضع الانحياز الامامى ∆v/∆iوالتى تمثل المقاومة الامامية للثنائى Rf صغيرة جدا وهى تتراوح ما بين 30 إلى 50 أوم بعكس المقاومة فى حالة التغذية العكسية Rr والتى تتعدى الميجا اوم
أثر التغذية الأمامية على الوصلة الثنائية P-N
