الترانسستور المجالى -1- Junction Field Effect Transistor – JFET   – مقدمة

الترانسستور المجالى Field Effect Transistor- FET

الترانسستور المجالى نوع آخر من الترانسستور يختلف   كثيرا عن الترانسستور المكون من ثنائى مذدوج من أشباة الموصلات P-N Junction  . والذى يسمى [(Bi-Polar Junction Transistor ) – BJT] إشارة إلى كون وجود نوعين من حاملات التيار به الإلكترونات السالبة والفجوات الموجبة كما رأينا فى سلسلة محاضرات الترانسستور BJT . ورأينا فى هذا النوع تيار الخرج I_c دالة فى تيار القاعدة I_b فهو عنصر تيارى يحكم تيار الخرج فيه تيار القاعدة (I_c =βI_b) ، أما فى النوع JEFT فله الخصائص الآتية :-

• أحادى حاملات التيار فإما إلكترونات وإما فجوات Uni-Polar

• عنصر تحكم بالجهد وليس بالتيار فجهد بوابته (G) Gate المقابلة للقاعدة فى الترانسستور BJT يحكم تيار المصب (Drain) (D) المقابل للمجمع فى الترانسستور BJT

• يفوق ترانسستور المجال ترانسستور BJT فى مقاومة دخله الفائقة (بالميجا أوم ) مما يجعله أكثر حساسية واستجابة لتغيرات جهد الاشارة المتناهى الصغر

• من الناحية التصنيعية مكوناته لاتحتاج حجم ما يحتاجة الترانسستور BJT فأصبح أكثر ملائمة فى تصنيع الدوائر المتكاملة عالية الكثافة من عناصره

• يتميز ال JEFT باستهلاك ضئيل للطاقة عن ترانسستور BJT

• يعيب ال JEFT النطاق الترددى الضيق لمكبره والتكبير الضعيف لجهد الاشارة وتأثره البالغ بالشحنات الكهروستاتيكية

فما هو تركيب ال JEFT كعنصر من أشباة الموصلات ؟ وما هى أنواعه ؟ وخصائصة الكهربية ؟ ( https://wp.me/paiFWG-oR) :