أثر الشحنات الكهرواستاتيكية على العناصر الإلكترونية من أنصاف النواقل
فى تركيب الترانسستور معزول البوابة MOSFET بنوعيه وكما أوضحنا من قبل غلالة رقيقة جدا سمكها بالميكرو مللى من أكسيد السليكون SiO2 تشكل طبقة عازلة بين قناة التوصيل فى الترانسستور والطبقة المعدنية المكونة لقطب البوابة (G) تعمل بمثابة العازل الكهربى (Dielectic) بين قطبين معدنيين كما فى تركيب المكثف ، وتصل مقاومته إلى 109 ميجا أوم مما يساعد على تراكم شحنات كهرواستاتيكية لاتجد لها طريقا للتسرب إلى الأرض ، ولتلك الشحنة مصادر متعددة منها الحث الكهرومغناطيسى أو الملامسة باليد من جسم الانسان أثناء التعامل اليدوى مع الكروت الرقمية مثل الموجودة فى الحاسب الشخصى أو وحدات التحكم الرقمى PLC وتراكم تلك الشحنات وتجاوزها لقوة العزل يسبب كسر عزل مادة أكسيد السليكون وتدمير الترانسستور MOSFET دون أن يشعر من يقوم بالتعامل معه فلا شرارة تراها كما فى التفريغ الكهربى بين قطبين فى الهواء تجاوزت الشحنة الكهرواستاتيكية 40 ك فولت / سم .
لذا تجد على مغلفات كروت الحاسبات ومكوناتها علامة التنبية من خطورة التعامل اليدوى دون أخذ الاحتياطات اللازمة ومنها استخدام الاسورة المعدنية المؤرضة كما بالشكل وعدم وجود أشياء معدنية فى لباس المتعامل أو خواتم أو ماشابه ، ويتم تأريض سطح ترابيزة الاصلاح ويتوفر مفرش خاص سهل تأريضه لوضع الكروت تحت الاصلاح عليه ، وتأريض أدوات الاصلاح ما أمكن ،
بوهر للتدريب الفنى الهندسة الكهربية والكهروميكانيكية 
