مقدمة
كما فى النوع -BJT) -Bipolar Junction Transistor ) لترانسستور المجال ثلاث أوضاع فى الدائرة متصلة الاشارة (Analog) ، مشترك المنبع (مشترك الباعث) ، مشترك المصرف CD (مشترك المجمع ) ، مشترك البوابة (مشترك القاعدة) ، والشائع استخداما منهم هو مشترك المنبع CS .
وضع مشترك المنبع (CS)
فى ش (1) النوع N فى وضع مشترك المنبع ، ومن خلال النموذج الرباعى (H) لتمثيل دائرة الترانسستور فى النطاق الفعال نحصل على ش (3) وتحليله كالآتى :-
تيار المصرف Id متغير تابع فى تغيره لكل من المتغيرين المستقلين Vgs ، Vds وبتعبير رياضى :
(Id = f(Vgs –Vds) (1
(Id =gm Vgs + (1/rd)Vds (2
المعادلة (2) ثمثلها دائرة الخرج المكافئة فى ش (3) ومعاملات المتغيرين Vgs، Vds تعريفهما كالآتى :-
gm : معامل التحويل من الدخل للخرج عند قيمة ثابتة للجهد Vds وهو التوصلية (موا) (عكس أوم)
rd : هى مقاومة قناة التوصيل (أوم) .
الدائرة المكافئة فى ش (3) تخص الترانسستور فى حال إشارة منخفضة السعة منخفضة التردد لذا تم اهمال السعات بين الأقطاب الثلاث فمع التردد المنخفض للإشارة تكون الممانعات السعوية للأقطاب (1/ωc) مالانهاية فيمكن اهمالها بعكس مع الترددات العالية تكن الممانعات السعوية بقيم لايمكن تجاهلها ويمثل ش (4) الدائرة المكافئة بالسعات بين البوابة وكل من المنبع والمصرف وبين المصرف والمنبع .
النوع FET يفوق النوع BJT كفاءة من حيث تكبير التيار والجهد ، ومقاومة الدخل أعلى بكثير فهى فى ال JFET أكبر من 106 أوم وفى ال MOSFET أكبر من 1014 أوم ، ومما يميزه أيضاأنه أقل استهلاكا للطاقة وتحمله لتيارات أعلى ، ولا يشغل حجما كبيرا فى تصنيعه كما فى النوع BJT
أما ما يعيبه ويتفوق عليه فيه ال BJT هو بطء الاستجابة الزمنية وأرتفاع تكلفه تصنيعه عن ترانسستور BJT
ترانسستور المجال فى الدوائر الرقمية (https://wp.me/paiFWG-pX)