الرئيسية » هندسة الالكترونيات » نظم ودوائر إلكترونية » الترانسستور المجالى -FET -9- مقاومة الحمل فى دوائر ال FET – الرقمية

الترانسستور المجالى -FET -9- مقاومة الحمل فى دوائر ال FET – الرقمية

 

فى الشرائح الإلكترونية الرقمية من عائلة الترانسستور BJT تصنع بها أيضا المقاومات والثنائيات والمكثفات فتجد عائلة TDL ، TDR  ، أما فى الشرائح المجمعة للتترانسستور المجالى فتكن مقصورة عليها دون مكونات أخرى ، ويتم توظيف ترانسستور FET كمقاومة حمل لآخر كما فى ش (4) لدائرة عاكس فالترانسستور Q2 تجده مربوط البوابة  (G2) مع المصرف D2 ليصبح فى وضع توصيل دائم بمقاومة قناة Rd2s2 تقوم مقام مقاومة الحمل

 

اترك رد