الرئيسية » هندسة الالكترونيات » نظم ودوائر إلكترونية »  الترانسستور -32- BJT (انحياز الترانسستور بمجزىء الجهد ومقاومة بالباعث )

 الترانسستور -32- BJT (انحياز الترانسستور بمجزىء الجهد ومقاومة بالباعث )

ما قبله : https://wp.me/paiFWG-sc

الترانسستور -32- BJT (انحياز الترانسستور بمجزىء الجهد )

تناولنا سابقا طرق أربع  لتحقيق جهود وتيارات الترانسستور فى حال اللا إشارة أى بمستوى قيم مستمرة تضمن وجود الترانسستور فى نقطة تشغيل تلائم عمله كمكبر  Qdc وفى الطريقة الموضحة بالدائرة ش (3) وهى الشائعة والأكثر تنفيذا وفيها

  • قيمة الجهد للقاعدة Vb هو الجهد الناتج من تجزئة جهد التغذية Vcc بالمقاومتين Rb1 ، ٌRb2

Vb = Vcc × [Rb2 ÷ (Rb1+Rb2)]         (1

  • بمقاومة الباعث Re تتحقق تغذية عكسية سالبة تجذب احدائيات نقطة التشغيل إلى أصلها إذا تزحزحت عنها بالموجب أو السالب وسواءا كان انحرافها بسبب βdc المتأثر بالحرارة فى تغيره أو التقادم أو كان انحرافها بسبب تغير جهد التغذية Vcc

قيم نقطة التشغيل Qdc

Vc = Vcc – Rc Ic

Ve = Ie Re = Vb – Vbe

Vce = Vc – Ve = Vcc – (IcRc +IeRe)     (2 

[ Vb = Vbe + Ve = Vcc × [Rb2 ÷ (Rb1+Rb2

Ib2 = Vb /Rb2

Ib1 = Ib + Ib2  = (Vcc-Vb)/Rb1

مقاومة الدخل للترانسستور  (Rb)هى المقاومة المكافئة للمقاومتين Rb1 ، Rb2 على التوازى

( Rb = Rb1 Rb2 ÷ (Rb1 +Rb2 

 Ib = (Vb –Vbe ) /[Rb + (1+β)Re]                 (3 

 

 Ic = β Ib                                           (4 

 من المعادلات 2 ، 3 ، 4 حصلنا على احداثيات نقطة التشغيل للترانسستور

رابط ما بعده : https://wp.me/paiFWG-sg

اترك رد