الترانسستور -33- ( الاختبار والقياس لأنواع الترانسستور المختلفة تيارى و جهدى )

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-sg

أنواع الترانسستور ثلاث :-

• 1- الترانسستور ثنائى الوصلة BJT

• 2- الترانسستور المجالى بأنواعه :-

أ – الوصلة الثنائية المجالية وتأثير الجهد العكسى JFET

• ب- قناة توصيل وبوابة معزولة MOSFET بنوعيه فمنه المحسن توصيلة Enhancement والآخر من نوع القناة المخلاة من حاملات التيار Depletion Region

• 3- الترانسستور ثنائى الوصلة معزول البوابة IGBT

وكما أوضحنا فى محاضرات انحياز  الترانسستور فإنه ليس بسلامة عنصر الترانسستور وحده تقوم دائرة الترانسستور بوظيفتها كمكبر  على ما يرام إذ ينبغى أن تكون قيم المقاومات والممانعات فى دائرة خرج الترانسستور ودخله بقيم معينة  تضمن وجود الترانسستور فى نقطة التشغيل الصحيحة فى حال وضع اللا إشارة ، والجدول الآتى يلخص اختبار انواع الترانسستور المختلفة

عامل القدرة  (P)المستهلكة فى الترانسستور فى غاية الأهمية    وهو ما يتحول إلى حرارة وهو الحادث من مرور التيار I_c فى مقاومة الوصلة للمجمع

P = I_c² × R_cb

فإذا ارتفع تيار المجمع عن القيمة التشغيلية له ارتفع الفقد ومن ثم حرارة الترانسستور مما يؤثر عليه ويؤدى إلى  احتراقه وينبغى مراجعة وقياس المقاومات فى دائرة الترانسستور