الرئيسية » هندسة الالكترونيات » نظم ودوائر إلكترونية » الترانسستور -8 – ( منحنى الخواص لدائرة دخل الترانسستور مشترك الباعث ) -Common Emitter

الترانسستور -8 – ( منحنى الخواص لدائرة دخل الترانسستور مشترك الباعث ) -Common Emitter

رابط ماقبله :  https://wp.me/paiFWG-iK

فى دائرة الدخل لترانسستور مشترك الباعث كما فى ش (1) نوع PNP  وبتوقيع العلاقة بين تيار القاعدة Ib كمتغير مستقل وجهد وصلة الباعث Vbe عند قيم ثابتة للمتغير المستقل الآخر VCce ، تحقيقا للمعادلة Vbe=F(Ib -Vce) ، فعند قيمة لتيار الباعث تساوى صفر وجهد وصلة المجمع تساوى صفر فإن جهد وصلة الباعث تكن -0,1v (فى حال البلورة من الجرمانيوم) ، -0,5v (للسليكون) وهو الجهد الفاصل بين حالتى القطع والتوصيل للترانسستور ، فإذا ما زاد جهد وصلة المجمع سالبية  ((-0,1v ، (-0,2v) ارتفع جهد الوصلة Vbe إلى (-0,2v) للجرمانيوم ، (-0,5v) لبلورة السليكون ، أى أن جهد وصلة الباعث يتناسب طرديا مع قيمة الجهد العكسى لوصلة المجمع ويعود ذلك إلى منطقة القاعدة تضيق بزيادة المنطقة المنزوعة من الشحنات على جانبى الوصلة للمجمع مما يقلل من امكانية تكوين روابط تساهمية فى القاعدة فزيادة تيار القاعدة فزيادة الجهد الحاجز لها .

وايجازا فإن منحنيات الخواص  لدائرة دخل الترانسستور مشترك الباعث (Common Emitter) يمثلها منحنى ثنائى فى حال جهد انحياز أمامى (Forward Biase) ، وتتأثر المنحنيات بجهد الوصلة للمجمع فإذا تزحزح من جهد  صفر(مجمع – باعث شورت) إلى جهد سالب ازداد جهد انحياز وصلة الباعث سالبية ويرتفع حد دخول الترانسستور فى المنطقة الفعالة (Active Region) وهذا الحد الجهدى قيمته فى حالة بلورة الجرمانيوم من (-0,1v) إلى (0,2v) وفى بلورة السليكون من (-0,5v) إلى (-0,6v)

المحاضرة التالية على الرابط : https://wp.me/paiFWG-iS

 

اترك رد