الترانسستور -BJT – 21 ( مكبر الترانسستور بنموذج H)

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-oF

تطبيق نموذج (H) فى دائرة مكبر الترانسستور

فى ش  (1) دائرة مكبر  ترانسستور NPN مشترك الباعث ومصدر جهد (V_s) (إشارة – Signal) المطلوب تكبيرها  فى ش (2) تم احلال اطراف الترانسستور الثلاث بالشكل الصندوقى رباعى الاطراف (الباعث مشترك) مع الحفاظ على موضع العناصر المتصلة بدائرة خرج ودخل الترانسستور ففى الخرج مقاومة الحمل (R_L) توازيا وفى الدخل مقاومة المصدر (R_s) توالى مع جهد المصدر

فى ش 3 احللنا نموذج (H)  مكان الشكل الصندوق لنحصل على الدائرة المكافئة لمكبر الترانسستور مشترك الباعث

لكل مكبر اشارة منخفضة التردد صغيرة السعة أربع خصائص :-

• معامل تكبيره للتيار(الكسب) (Current-Gain A_i)
• مقاومة دخل المكبر (Input Impedance Zin)
• معامل تكبيره لجهد الاشارة (الكسب) (Voltage – Gain A_v)
• مقاومة خرج المكبر (Output Impedance)

فى الاشارة منخفضة التردد تهمل السعات الطفيلية لأقطاب الترانسستور ،  و الاشارة صغيرة السعة فيها تجاوز اللاخطية للترانسستور

تكبير التيار (I₂/I₁)  A_i

A_i=-I₂/I₁

h_f I₁+h_o V₀= I₂

V_o=-I₂ R_l

I₂=h_f I₁ – h_o I₂ R_l

I₂ + h_o I₂ R_l=h_fI₁

I₂/I₁=A_i= -H_f/(1+h_oR_l 

لا حظ عندR_L = صفر اى الخرج مقصور فإن التكبير يساوى h_f كما سبق وذكرنا

وعلامة الناقص فى التكبير تعنى أن الخرج مرحل 180 درجة عن زاوية الدخل

رابط ما بعده : https://wp.me/paiFWG-ra