الرئيسية » هندسة الالكترونيات » نظم ودوائر إلكترونية » الهندسة الألكترونية -27- (الترانسستور ثنائى القطبية-BJT) – مقاومة الدخل فى مكبر الترانسستور مشترك الباعث

الهندسة الألكترونية -27- (الترانسستور ثنائى القطبية-BJT) – مقاومة الدخل فى مكبر الترانسستور مشترك الباعث

الترانسستور يحدث توفيق بين مقاومة الحمل الصغيرة مثل مقاومة السماعة والمقاومة الداخلية للإشارة وذلك بنقلها إلى دائرة دخله بقيمة مكبرة بقدر تكبير التيار فيؤدى إلى مرور أكبر قدر من الاشارة إلى الحمل بعد تكبيرها تيارا وجهدا

اترك رد