الرئيسية » هندسة الالكترونيات (صفحة 33)

هندسة الالكترونيات

الثنائى (Diode) فى وضع التغذية العكسية (Reverse Bias)

رابط ما قبله : https://bit.ly/2x7CwDF الوصلة الثنائية المفتوحة ( بدون جهد خارجى على طرفيها ) فى ش (1) الوصلة الثنائية مفتوحة دون جهد خارجى على طرفيها موضحا فيها حاملات التيار فى جانبى الوصلة أكثرية وأقلية كما فى الجدول يمينا (N_Type) ويسارا (P-Type) وواضح الجهد الحاجز الذى أوقف مزيدا من تيار الانتشار (Diffusion-Current) لحاملات الاكثرية على الجانبين . الوصلة الثنائية بجهد ...

أكمل القراءة »

الثنائى (P-N) فى الدوائر الإلكترونية

رابط ما قبله : https://bit.ly/2xPwmsr الوصلة الثنائية (Diode) فى الدائرة الالكترونية الثنائى اشباة الموصلات  (Diode) ذو طرفين أحدهما يدعى الأنود وهو المتصل بالجزء الموجب (P-Type)  والآخر كاثود المتصل   بالنوع السالب (N-Type ) والتسمية جاءت للتماثل خواصه الألكترونية مع الصمام الثنائر الحرارى (Vacuum  Tube Diode) ، والشائع منه على شكل اسطوانى ويميز طرف الكاثود بحلقة لونية بيضاء . وللثنائى (Diode) فى ...

أكمل القراءة »

وصلة P-N المفتوحة P-N Junction  -(دون تغذية كهربية على طرفيها) – Open Circuit (الوصلة الثنائية Diode)

رابطماقبله: https://bit.ly/2SUbdEB الوصلة الثنائية  Diode فى ش(1) شريحة من بلورة السليكون النقى (Si)  وبفرض صنع فاصل وهمى يقسم الشريحة إلى قسمين يمينا ويسارا كما فى ش(2) ، وعلى اليمين أذبنا شائبة خماسية التكافؤ مثل الفوسفور (P15) ( شائبة مانحة Donor ) أى نوع سالب (N-Type) ، ويسارا أذبنا شائبة ثلاثية التكافؤ مثل البورون (B5) ليتكون يمينا النوع الموجب من أشباة ...

أكمل القراءة »

التيار الكهربى فى المعادن وفى أشباة الموصلات (أنصاف النواقل) والمقارنة بين المقاومة لكلاهما

رابط ما قبله : https://bit.ly/353OYRo فى المعادن حاملات الشحنة الكهربية من النوع السالب (الإلكترونات الحرة فى المعدن) فى أشباة الموصىلات نوعان متلازمان من الحوامل للتيار ، النوع السالب (الإلكترونات ) كما فى المعادن والنوع الموجب (الفجوات) فى المعادن تتحرك الشحنة السالبة تحت تأثير الجهد الكهربى ويسمى نوع التيار فيها بالتيار الدفعى (Drift Current) فى أشباة الموصلات فبإلإضافة إلى التيار تحت تأثير ...

أكمل القراءة »

أشباة الموصلات المطعومة بذرات ثلاثية وخماسية التكافؤ – أشباة الموصلات غير النقية – النوع الموجب والنوع السالب

رابط ما قبله :  https://wp.me/paiFWG-1K  مقدمة قبل الإبحار عميقا فى أشباة الموصلات والأجهزة التى قامت عليها من ثنائى (Diode) وترانسستور بأنواعه المختلفة فلنطالع هذا الجدول الموجز لكلا النوعين من أشباة الموصلات  غير النقية أى المطعومة بشوائب من عناصر خماسية التكافؤ وأخرى ثلاثية وهما النوع الموجب والنوع السالب P-Type /N -Type النوع الموجب P Type من أشباة الموصلات فى شريحة السليكون النقى ...

أكمل القراءة »

المقارنة بين المقاومة (وعكسها التوصيلية) فى المعادن وأشباة الموصلات والأثر الضوئى على مقاومة أشباة الموصلات

رابط ما قبله :  https://bohrcenter.com/wp-admin/post.php?post=108&action=edit المقاومة Resistance هى إعاقة  المادة لمرور التيار الكهربى بها وهى تعتمد على كثافة حاملات التيار فى وحدة الحجوم من المادة ، وهى فى تعريفها تختلف فى المعادن عنها فى أشباة الموصلات مقاومة المعادن حاملات التيار احادية القطبية (Uni polar) وهى الالكترونات الحرة ، وتزيد مقاومة المعادن للتيار الكهربى بارتفاع درجة حرارة المعدن فبارتفاعها تكتسب أيونات المعدن ...

أكمل القراءة »

P-Type/N-type Semi-Conductor أشباة الموصلات الموجبة والسالبة ، أنصاف النواقل الموجبة والسالبة

أشباة الموصلات (أنصاف النواقل) هى عناصر رباعية التكافؤ مثل (الكربون C6–السليكون ٍSi14– الجرمانيوم Ge32 – ) ترتبط ذراتها باربع روابط تساهمية مع غيرها فى شكل بلورى ثلاثى الأبعاد . فى درجة الحرارة العادية تتحطم بعض الروابط التساهمية فى بلورة شبة الموصل النقى لينتج من كل رابطة نوعان من حاملات التيار  أحدهما سالب (إلكترونات) والآخر موجب (فجوات) لتكتسب المادة درجة من ...

أكمل القراءة »

الفاريستور Varistor المقاومة من أنصاف النواقل متغيرة القيمة طبقا للجهدVDR

الفاريستور  Varistor     مقاومة متغيرة القيمة بتغير الجهد بين طرفيها  ما هو الفاريستور  عنصر كهربى قيمة مقاومته متغيرة وتعتمد فى تغيرها على الجهد بين طرفيه ومن ثم فمقاومته دالة فى الجهد (Varying-Resistor) (Variable – depending Resistor VDR) وهو فى تكوينه عبارة عن 2 دايود متماثلين ومتصلان كاثود مع كاثود ومن النوع الزنر أى يعمل كل منهما فى منطقة الانحياز العكسى ...

أكمل القراءة »

حاملات التيار فى أشباة الموصلات (أنصاف النواقل) غير النقية ، donor And Acceptor Impurities

رابط ما قبله : https://bit.ly/2WRu4Bu حاملات التيار فى أشباة الموصلات غير النقية (donor And Acceptor Impurities) النوع السالب (N-Type)- Donor Impurities إذا أذبنا ذرات عنصر  خماسى التكافؤ (5 إلكترونات فى المدار الخارجى)   مثل  الفوسفور (P15) – الأنتيمون  (sb51) – الزرنيخ ِArsenic (As)   فى بلورة السليكون (Si) أو الجرمانيوم (Ge)  لشارك أربع من الكتروناتها فى أربع روابط  تساهمية مع ما حولها من ...

أكمل القراءة »