أرشيف الوسم : #الترانسستور_BJT

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-ra تكبير الجهد   (Av) فى الترانسستور مشترك الباعث Av=Vo/Vin =-I2.Rl/Vin                        (1 I2/I1=-Ai                                              (2 بالتعويض من (2) فى (1) Av =I1 .Ai .RL/vin                                 (3 Vin/IL =Rin                                           (4 وبالتعويض فى (3) Av = Ai .RL/Rin                                                     (5 لاحظ أنه كلما كانت مقاومة الحمل كبيرة كلما زاد تكبير الجهد لكن لاتنسى إنه فى المقابل ينخفضص تكبير التيار ومن ثم ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-r7 مقاومة الدخل للترانسستور مشترك الباعث وعلاقتها بمقاومة الحمل RL المقاومة = الجهد ÷ التيار   (قانون أوم) (Ri=Vin /I1          (1 (Vin=hiI1 +hrvo  (2 من (1) ، (2) Ri=(hiI1 +hrVo)/IL Ri=I1(hi +hrVo/I1)/IL (Ri=hi +hrVo/IL      (3 (Vo=-I2 RL     (4 بالتعويض عن Vo من (4) فى (3) ( Ri=hi + hrRL(-I2/I1  تكبير التيار Ai=-I2/I1 Ri=hi +hrRLAi نلاحظ الآتى :- مقاومة ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-oF تطبيق نموذج (H) فى دائرة مكبر الترانسستور فى ش  (1) دائرة مكبر  ترانسستور NPN مشترك الباعث ومصدر جهد (Vs) (إشارة – Signal) المطلوب تكبيرها  فى ش (2) تم احلال اطراف الترانسستور الثلاث بالشكل الصندوقى رباعى الاطراف (الباعث مشترك) مع الحفاظ على موضع العناصر المتصلة بدائرة خرج ودخل الترانسستور ففى الخرج مقاومة الحمل (RL) توازيا وفى الدخل ...