الرئيسية » أرشيف الوسم : #الترانسستور_BJT

أرشيف الوسم : #الترانسستور_BJT

الترانسستور -33- ( الاختبار والقياس لأنواع الترانسستور المختلفة تيارى و جهدى )

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-sg أنواع الترانسستور ثلاث :- 1- الترانسستور ثنائى الوصلة BJT 2- الترانسستور المجالى بأنواعه :- أ – الوصلة الثنائية المجالية وتأثير الجهد العكسى JFET ب- قناة توصيل وبوابة معزولة MOSFET بنوعيه فمنه المحسن توصيلة Enhancement والآخر من نوع القناة المخلاة من حاملات التيار Depletion Region 3- الترانسستور ثنائى الوصلة معزول البوابة IGBT وكما أوضحنا فى محاضرات انحياز  ...

أكمل القراءة »

 الترانسستور -32- BJT (انحياز الترانسستور بمجزىء الجهد ومقاومة بالباعث )

ما قبله : https://wp.me/paiFWG-sc الترانسستور -32- BJT (انحياز الترانسستور بمجزىء الجهد ) تناولنا سابقا طرق أربع  لتحقيق جهود وتيارات الترانسستور فى حال اللا إشارة أى بمستوى قيم مستمرة تضمن وجود الترانسستور فى نقطة تشغيل تلائم عمله كمكبر  Qdc وفى الطريقة الموضحة بالدائرة ش (3) وهى الشائعة والأكثر تنفيذا وفيها قيمة الجهد للقاعدة Vb هو الجهد الناتج من تجزئة جهد التغذية Vcc ...

أكمل القراءة »

الترانسستور -31- BJT (انحياز دائرة الترانسستور بمقاومة الباعث والتغذية العكسية )

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-s6 انحياز الترانسستور بمقاومة الباعث مع التغذية العكسية فى ش (1) حيث الانحياز محقق بالتغذية العكسية (من خلال Rb1) ومقاومة Rb2 بدائرة الدخل كمسار آخر للتيار Ib1 ازدات نقطة التشغيل استقرارا وثباتا وفى ش (2) أُضيفت مقاومة للباعث Re لتنقل هى الأخرى أثر تغير تيار المجمع Ic إلى دائرة الدخل تحكما عكسيا فى تيار القاعدة مما يحقق ...

أكمل القراءة »

الترانسستور -30- BJT ( انحياز دائرة الترانسستور بتغذية عكسية ومقاومة دخل للترانسستور)

 رابط ما قبله :https://wp.me/paiFWG-rV انحياز دائرة الترانسستور بتغذية عكسية ومقاومة توازى فى دخل الترانسستور بدائرة الانحياز بالتغذية العكسية من حهد الخرج Vc إلى القاعدة من خلال مقاومة كما فى المحاضرة السابقة حققنا نقطة تشغيل مستقرة مع تغيير المعامل βdc ، ولتحقيق مزيد من الثبات والاستقرار يضاف مقاومة أخرى Rb2 فى دائرة دخل  الترانسستور ش(1)  لتقتسم التيار Ib1 فى حالة زيادته ...

أكمل القراءة »

الترانسستور -29- BJT ( انحياز دائرة الترانسستور بطريقة التغذية العكسية )

رابط ما قبله :https://wp.me/paiFWG-rJ   انحياز دائرة الترانسستور بطريقة التغذية العكسية فى الطريقة السابقة لاعداد جهود وتيارات نقطة التشغيل كان جهد القاعدة مستمد من جهد التغذية Vcc عبر المقاومة Rb أما فى اسلوب التغذية بمقاومة من جهد الخرج Vc وهى تغذية عكسية سالبة تؤدى إلى التحكم فى تيار القاعدة بناءا على قيمة حهد الخرج مما يضمن ثبات واستقرار نقطة التشغيل ...

أكمل القراءة »

الترانسستور -28- BJT( نقطة التشغيل Q ووسائل التحييز لدائرة الترانسستور Biasing)

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-rx مقدمة أما وقد استوعبنا مفهوم نقطة التشغيل لمكبر الترانسستور فى المنطقة الفاعلة Active Region وخلصنا إلى أنها وكما فى ش(1) القيم المستمرة DC من تيار المجمع ( وضع مشترك الباعث كمثال) Ic وحهد وصلته Vce عند قيمة مستمرة لتيار القاعدة يضمن وجود الترانسستور فى المنطقة الفاعلة (Vbe≥V cut in)  ، وبأساليب عديدة يمكن ضبط تلك القيم ...

أكمل القراءة »

الترانسستور -27- BJT ( نقطة التشغيل لدائرة المكبر والانحياز)

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-rq الترانسستور -27- BJT ( نقطة التشغيل وانحياز دائرة الترانسستور ) نعاود توضيح معنى نقطة التشغيل لدائرة المكبر Quiescent Point بأنها قيم متغيرات دائرة الترانسستور من تيار وجهد وصلة المجمع وكذا تيار وجهد وصلة الباعث فى حال لا إشارة (Zero-Signal) أى القيم  المستمرة (DC) التى سوف تتأرجح حولها الإشارة فتقع بكامل محتوياتها موجبة أو سالبة فى النطاق ...

أكمل القراءة »

الترانسستور -26- BJT ( نقطة تشغيل الترانسستور والانحياز)

 رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-ri نقطة تشغيل الترانسستور Q Point –  Operating Point الترانسسور كمكبر يعمل فى المنطقة الفعالة (Active Region) والنى تحدها كما فى ش(1) نقطتا التشغيل A، B النقطة A تمثل حالى القطع Off والنقطة B تمثل حالة التشبع الخط AB يسمى خط الحمل وجميع نقاطه تمثل أوضاع تشغيل للترانسستور فى المنطقة الفاعلة وميل الخط المستقيم يساوى1/RL ، والنقطتان ...

أكمل القراءة »

الترانسستور BJT-25- ( الترانسستور كمحول للمقاومة )

ما قبله : https://wp.me/paiFWG-rg الترانسستور كمحول للمقاومة بعيدا عن المعادلات الرياضية لاستخراج  تكبير التيار والجهد ومقاومة الدخل وتوصيلية الخرج للمكبر فإن الهدف من الاسهاب فى تحليل الدائرة بنموذج (H)  هو أن نستوعب مدى تأثير مقاومة الحمل  فى التكبير سواءا كمكبر تيار أو مكبر جهد ففى الأول يتناسب عكسى وفى الثانى يتناسب طردى للأخذ فى الاعتبار قيمة المقاومة والمطلوب هل هو تكبير ...

أكمل القراءة »

الترانسستور BJT -24- (التوصيلية Admittance لخرج مكبر الترانسستور )

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-re التوصلية لدائرة خرج الترانسستور  (Yo)   Admittance ) لمشترك الباعث بتطبيق نموذج (H) وهى عكس المقاومة وعموما = التيار ÷ الجهد فى النموذج H  لنمذجه الباعث المشترك ومن تعريف توصلية دائرة الخرج أنها تيار الخرج (I2) ÷ جهد الخرج (V2) والجهد Vs=0 ومقاومة الحمل مالانهاية (مفتوحة) وبتطبيق قانون كيرشوف للجهد فى دائرة الدخل فأن :- I1 .Rs ...

أكمل القراءة »