أرشيف الوسم : #الترانسستور_المجالى

أثر الشحنات الكهرواستاتيكية على العناصر الإلكترونية من أنصاف النواقل  فى تركيب الترانسستور  معزول البوابة MOSFET بنوعيه وكما أوضحنا من قبل غلالة رقيقة جدا سمكها بالميكرو مللى  من أكسيد السليكون  SiO2 تشكل طبقة عازلة بين قناة التوصيل فى الترانسستور والطبقة المعدنية المكونة لقطب البوابة (G)  تعمل بمثابة العازل الكهربى  (Dielectic) بين قطبين معدنيين كما فى تركيب المكثف  ، وتصل مقاومته إلى ...