نظم ودوائر إلكترونية

تابع الترانسستور كسوتش (On/Off) بالمحاضرة 17الرابط  https://wp.me/paiFWG-kJ فى حالة التشبع يمر فى الترانسستور اقصى تيار (تشبع) وعليه ينبغى ان تكون مقاومة الحمل عالية حماية للترانسستور ، ويحتاط ألا يتجاوز معدل قدرته IcVce – والتى تتحول فى الترانسستور الى حرارة -المعدل التصميمى للترانسستور وإلا احترق يصمم تيار القاعدة على ادنى تيار بمنطقة التشبع لتجنب ارتفاع حرارة الترانسستور يمكن تشبية حالتى التشبع ...

الترانسستور كسوتش (Transistor Switching Mode) مقدمة فى المحاضرة  https://wp.me/paiFWG-kn بيان وشرح   الاوضاع التشغيلية للترانسستور (فعال – متشبع – قاطع)( Active – Saturation- Off)                                                  مناطق التشغيل الثلاث فى دوائر الترانسستور الترانسستور كعنصر ثنائى الحالة (Binary State) ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-kn فى ش (1) جهود الانحياز لوصلتى الباعث والمجمع لترانسستور من الجرمانيوم نوع NPN   ونلاحظ الآتى :- 1 – فى المنطقة الفعالة للترانسستور Active Region وصلة الباعث فى انحياز أمامى ووصلة المجمع فى أنحياز عكسى (الربع الأول من الدائرة ) 2 – فى منطقة التشبع (Saturation Region) كلتا الوصلتين فى انحباز أمامى (الربع الرابع) 3- فى منطقة ...

رابط ما قبله :  https://wp.me/paiFWG-k5 منطقة التشبع Saturation Region تلك المنطقة ذات الشمال فى ش (1) والتى فيها جهد وصلة المجمع Vce اقترب كثيرا من الصفر ثم إلى جزء من العشرة من الواحد الموجب فعند ذلك النطاق يزداد التيار زيادة هائلة ويصبح غير معتمدا على قيمة تيار القاعدة التى يتجاوز جهد وصلتها فى تلك المطقة الجهد الامامى الفعال إلى جهد أمامى ...

رابط ما قبله :  https://wp.me/paiFWG-jY الترانسستور فى المنطقة الفعالة (الترانسستور كمكبر) فى الشكل ش (1) ترانسستور NPN مشترك الباعث (CE) ومقاومة دخل Ri ومكثف ربط لإشارة الدخل مانعا مرور مركبة المستمرة بالأشارة حتى لاتتأثر بقيمتها نقطة التشغيل  ، وبطارية Bbb لضبط جهد الانحياز للترانسستور ومن ثم   نقطة التشغيل بتقاطع خط الحمل مع تيار القاعدة المستمر وضمان وقوع نقطة التشغيل فى منتصف ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-jG المناطق التشغيلية للترانسستور operation Modes For transistors تناولنا فى المحاضرات السابقة عن الترانسستور التيارات  والجهود وخط الحمل لدائرة الخرج ومعامل النقل Transfer Function (Gain) فى أوضاع الترانسستور المختلفة  (CB-CE-CC) وترددت مصطلحات Active (فعال) ، وتشبع   Saturation وقطع Off  والتى تمثل مناطق تشغيلية محتملة    للترانسستور وهنا نتناولها تفصيلا لأهميتها وكون قيمها أساسية فى تصميم دوائر الترانسستور وسنتخذ ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-jp المقارنة بين الترانسستور فى اوضاعه الثلاث الجدول يوضح المقارنة بين الاوضاع الثلاث من حيث مقاومتى الدخل والخرج والتكبير لكل من الجهد والتيار والقدرة يتضح من المقارنة  أن أنسب الأوضاع للترانسستور هو وضع مشترك الباعث Common Emitter  ، وإن كانت فى حالات خاصة تفضل الأنواع الأخرى فالترانسستور مشترك القاعدة بمقاومة دخله المنخفضة وتكبيره العالى للجهد مناسب كمكبر ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-jc الترانسستور فى وضع مشترك المجمع  (Common Collector ) فى ذلك الوضع المجمع مشترك فى دائرتى الدخل والخرج كما فى ش (3) ولو أمعنا النظر فى ش (1) لترانسستور PNP مشترك الباعث نلاحظ أن وضع مشترك المجمع هو نفس الوضع مع استبدال كل من الباعث والمجمع مكان بعضهما كما فى ش (2) . فى ش(3) وكما ذكرنا ...

رابط ما قبله :  https://wp.me/paiFWG-iS الترانسستور مشترك الباعث كمكبر تيار Common Emitter Transistor Amplifier فى ش (1) لو وقعنا خط الحمل على منحنيات الخواص لدائرة خرج ترانسستور مشترك الباعث  ، نحصل على خط مستقيم يمثل العلاقة بين تيار الحمل Ic  وجهد التغذية Vcc وهى علاقة خطية بميل  =1/Rl من قانون كيرشوف للجهود (Vcc=IcRl +Vce      (1 وبتعيين نقطتين فقط على الخط المستقيم ...

رابط ما قبله :  https://wp.me/paiFWG-iP دائرة الخرج فى ترانسستور مشترك الباعث (Common Emitter) فى ش (1) وضع الترانسستور (PNP) مشترك الباعث  وجهود انحياز وصلتيه مجمع وباعث والتيارات الثلاث  Ic-Ie-Ib ، وعلى اليمين ش (2) منحنيات العلاقة بين جهد الوصلة Vce وتيار المجمع Ic عند قيم مختلفة من تيار القاعدة فى دائرة دخل الترانسستور . لاحظ الآتى على المنحنيات :- وصلة المجمع ...