نظم ودوائر إلكترونية

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-pJ مقدمة  معظم تطبيقات ترانسستور FET فى الدوائر والنظم الرقمية مثل البوابات المنطقية والمسجلات الرقمية ومصفوفات الذاكرة بنوعيها ROM ، RAM رغم بطء سرعته مقارنة بالترانسستور BJT إلا أن ضآلة استهلاكه للطاقة وكثافة تجميع دوائره فى شرائح صغيرة تفضله على نظيره من ال BJT خاصة فى تطبيقات السرعات المنخفضة  . ترانسستور المجال كعاكس (بوابة NOT) الوحدة البنائية ...

مقدمة  كما فى النوع  -BJT) -Bipolar Junction Transistor ) لترانسستور المجال ثلاث أوضاع فى الدائرة متصلة الاشارة (Analog)  ، مشترك المنبع (مشترك الباعث) ، مشترك المصرف CD (مشترك المجمع ) ، مشترك البوابة (مشترك القاعدة) ، والشائع استخداما منهم هو مشترك المنبع CS . وضع مشترك المنبع (CS) فى ش (1) النوع N  فى وضع مشترك المنبع ، ومن خلال ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-pe النوع الثانى من ال FET ذو البوابة المعزولة بأكسيد السليكون SiO2 – (Insulated Metal Oxcid FET  وينقسم هو الآخر إلى نوعين طبقا لنوع قناة التوصيل  ، النوع N والنوع P ، أما وجة الاختلاف بينه وبين النوع (Depletion) فإنه لاتوجد قناة توصيل طالما جهد البوابة صفر فولت فنفق التوصيل بين القطبين من نوع مخالف لهما ففى ...

رابط ما قبله :  https://wp.me/paiFWG-p2 مقدمة  فى النوع JFET من الترانسستور المجالى السابق شرحه والموضح تركيبه فى ش(4) البوابة تكون مع قناة التوصيل وصلة ثنائية (Junction)  والتى اشتق منها اسم نوعه وتكون فى وضع انحياز عكسى ، أى يوجد اتصال ما بين البوابة وقناة التوصيل ، الترانسستور المجالى معزول البوابة    فى النوع معزول البوابة كما فى ش (1)  تم عزل ...

رابط ما قبله :   https://wp.me/paiFWG-oR تيار المصرف(المصب)  Drain )   Id) المار من D إلى S تتوقف قيمته على متغيرين هما الفقد فى مقاومة القناة Vds ، وجهد البوابة Vgs  ، فمقاومة قناة التوصيل تتغير بزيادة خنقها أو اتساعها نتيجة  جهد الانحياز العكسى ، ولدراسة  (Id ) كمتغير تابع فى تغيره لمتغيرين مستقلين (Vds  ، Vgs) ندرس تغيره مع تغير احدهما ...

رابط ما قبله :  https://wp.me/paiFWG-oJ طبيعة تكوينه فى ش (1) تركيب ترانسستور مجالى JFET من نوع N ، عبارة عن قضيب من أشباة الموصلات النوع  السالب (N-Type) يمثل ممرا للتيار بين القطبين Drain (D) (المصب) (القطب الذى تغادر منه التيار إلى الدائرة الخارجية ) و( Sourse-S) المصدر (الذى تدخل إليه التيار من الدائرة الخارجية ) ، بحاملات للشحنة من النوع السالب ...

الترانسستور المجالى Field Effect Transistor- FET الترانسستور المجالى نوع آخر من الترانسستور يختلف   كثيرا عن الترانسستور المكون من ثنائى مذدوج من أشباة الموصلات P-N Junction  . والذى يسمى [(Bi-Polar Junction Transistor ) – BJT] إشارة إلى كون وجود نوعين من حاملات التيار به الإلكترونات السالبة والفجوات الموجبة كما رأينا فى سلسلة محاضرات الترانسستور BJT . ورأينا فى هذا النوع تيار ...

تابع ما قبله على الرابط  :https://wp.me/paiFWG-oq المعاملات من (a-b-c-d) والتى استخرجنا مدلولاتها  فى (الترانسستور -19-) من الأفضل نسبها للنموذج H للتغير كالتالى :- A=hin وهى مقاومة الدخل عند جهد خرج (0) وتمييزها أوم   B=hr وهى نسبة من جهد الخرج فى دائرة الدخل فى حال تيار الدخل صفر (وصلة الباعث مفتوحة)والنسبة لاتمييز لها C=hf وهى نسبة ما ينقل من تيار ...

ما قبله : https://wp.me/paiFWG-kO الترانسستور كمكبر للاشارات الصغيرة والمنخفضة تردديا سنتناول الترانسستور مشترك الباعث  PNP كنموذج للترانسستور فى المنطقة الفاعلة   (Active Region) كمثال تطبيقى لتكبير اشارة  أخذا فى الاعتبار :- الترانسستور يعمل فى الجزء الخطى نظرا لمحدودية قيمة الاشارة الاشارة ذات تردد منخفض فيمكن اهمال الممانعات السعوية للسعات الداخلية لوصلات الترانسستور وكذلك السعات الطفيلية لأقطاب الترانسستور فى الدوائر العملية بالطبع تنتهى ...