رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-ri نقطة تشغيل الترانسستور Q Point – Operating Point الترانسسور كمكبر يعمل فى المنطقة الفعالة (Active Region) والنى تحدها كما فى ش(1) نقطتا التشغيل A، B النقطة A تمثل حالى القطع Off والنقطة B تمثل حالة التشبع الخط AB يسمى خط الحمل وجميع نقاطه تمثل أوضاع تشغيل للترانسستور فى المنطقة الفاعلة وميل الخط المستقيم يساوى1/RL ، والنقطتان ...
أكمل القراءة » ما قبله : https://wp.me/paiFWG-rg الترانسستور كمحول للمقاومة بعيدا عن المعادلات الرياضية لاستخراج تكبير التيار والجهد ومقاومة الدخل وتوصيلية الخرج للمكبر فإن الهدف من الاسهاب فى تحليل الدائرة بنموذج (H) هو أن نستوعب مدى تأثير مقاومة الحمل فى التكبير سواءا كمكبر تيار أو مكبر جهد ففى الأول يتناسب عكسى وفى الثانى يتناسب طردى للأخذ فى الاعتبار قيمة المقاومة والمطلوب هل هو تكبير ...
أكمل القراءة » رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-re التوصلية لدائرة خرج الترانسستور (Yo) Admittance ) لمشترك الباعث بتطبيق نموذج (H) وهى عكس المقاومة وعموما = التيار ÷ الجهد فى النموذج H لنمذجه الباعث المشترك ومن تعريف توصلية دائرة الخرج أنها تيار الخرج (I2) ÷ جهد الخرج (V2) والجهد Vs=0 ومقاومة الحمل مالانهاية (مفتوحة) وبتطبيق قانون كيرشوف للجهد فى دائرة الدخل فأن :- I1 .Rs ...
أكمل القراءة »رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-ra تكبير الجهد (Av) فى الترانسستور مشترك الباعث Av=Vo/Vin =-I2.Rl/Vin (1 I2/I1=-Ai (2 بالتعويض من (2) فى (1) Av =I1 .Ai .RL/vin (3 Vin/IL =Rin (4 وبالتعويض فى (3) Av = Ai .RL/Rin (5 لاحظ أنه كلما كانت مقاومة الحمل كبيرة كلما زاد تكبير الجهد لكن لاتنسى إنه فى المقابل ينخفضص تكبير التيار ومن ثم ...
أكمل القراءة » رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-r7 مقاومة الدخل للترانسستور مشترك الباعث وعلاقتها بمقاومة الحمل RL المقاومة = الجهد ÷ التيار (قانون أوم) (Ri=Vin /I1 (1 (Vin=hiI1 +hrvo (2 من (1) ، (2) Ri=(hiI1 +hrVo)/IL Ri=I1(hi +hrVo/I1)/IL (Ri=hi +hrVo/IL (3 (Vo=-I2 RL (4 بالتعويض عن Vo من (4) فى (3) ( Ri=hi + hrRL(-I2/I1 تكبير التيار Ai=-I2/I1 Ri=hi +hrRLAi نلاحظ الآتى :- مقاومة ...
أكمل القراءة » رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-oF تطبيق نموذج (H) فى دائرة مكبر الترانسستور فى ش (1) دائرة مكبر ترانسستور NPN مشترك الباعث ومصدر جهد (Vs) (إشارة – Signal) المطلوب تكبيرها فى ش (2) تم احلال اطراف الترانسستور الثلاث بالشكل الصندوقى رباعى الاطراف (الباعث مشترك) مع الحفاظ على موضع العناصر المتصلة بدائرة خرج ودخل الترانسستور ففى الخرج مقاومة الحمل (RL) توازيا وفى الدخل ...
أكمل القراءة »
رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-q6 CMOS كسوتش ثنائى الاتجاة لعكس حركة محرك DC كأحد النماذج على استخدام المذدوج CMOS كمتحكم تشغيل محرك تيار مستمر فى الاتجاهين (سوتش قلاب اتجاة) ففى الدائرة(1) ترانسستور مجالى ذو البوابة المعزولة والقناة المحسنة Enhancement أحدهما نوع موجب القناة (P)والآخر نوع سالب القناة (N)، يعملان على قضبى تغذية أحدهما موجب FET1 والآخر سالب FET2 ومدخل بوابتيهما مشترك ...
أكمل القراءة »
أثر الشحنات الكهرواستاتيكية على العناصر الإلكترونية من أنصاف النواقل فى تركيب الترانسستور معزول البوابة MOSFET بنوعيه وكما أوضحنا من قبل غلالة رقيقة جدا سمكها بالميكرو مللى من أكسيد السليكون SiO2 تشكل طبقة عازلة بين قناة التوصيل فى الترانسستور والطبقة المعدنية المكونة لقطب البوابة (G) تعمل بمثابة العازل الكهربى (Dielectic) بين قطبين معدنيين كما فى تركيب المكثف ، وتصل مقاومته إلى ...
أكمل القراءة » رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-q2 ترانسستور FET ومرافقه Complementary MOSFET نموزج Complementary MOSFET) CMOS) اسلوب ممتاز لخفض استهلاك الطاقة فى دوائر ال FET الرقمية إلى أدنى مستوى (أقل من 40 نانو وات ) وهو استخدام مذدوج من نوعين مختلفين أحدهما قناة موجبة والآخر قناة سالبة (N- MOSFET + P MOSFET) فى شريحة واحدة تسمى (CMOS) أحدهما يمثل حمل للآخر ، ...
أكمل القراءة »
فى الشرائح الإلكترونية الرقمية من عائلة الترانسستور BJT تصنع بها أيضا المقاومات والثنائيات والمكثفات فتجد عائلة TDL ، TDR ، أما فى الشرائح المجمعة للتترانسستور المجالى فتكن مقصورة عليها دون مكونات أخرى ، ويتم توظيف ترانسستور FET كمقاومة حمل لآخر كما فى ش (4) لدائرة عاكس فالترانسستور Q2 تجده مربوط البوابة (G2) مع المصرف D2 ليصبح فى وضع توصيل ...
أكمل القراءة »
بوهر للتدريب الفنى الهندسة الكهربية والكهروميكانيكية