رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-q6 CMOS كسوتش ثنائى الاتجاة لعكس حركة محرك DC كأحد النماذج على استخدام المذدوج CMOS كمتحكم تشغيل محرك تيار مستمر فى الاتجاهين (سوتش قلاب اتجاة) ففى الدائرة(1) ترانسستور مجالى ذو البوابة المعزولة والقناة المحسنة Enhancement أحدهما نوع موجب القناة (P)والآخر نوع سالب القناة (N)، يعملان على قضبى تغذية أحدهما موجب FET1 والآخر سالب FET2 ومدخل بوابتيهما مشترك ...
أكمل القراءة » رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-q2 ترانسستور FET ومرافقه Complementary MOSFET نموزج Complementary MOSFET) CMOS) اسلوب ممتاز لخفض استهلاك الطاقة فى دوائر ال FET الرقمية إلى أدنى مستوى (أقل من 40 نانو وات ) وهو استخدام مذدوج من نوعين مختلفين أحدهما قناة موجبة والآخر قناة سالبة (N- MOSFET + P MOSFET) فى شريحة واحدة تسمى (CMOS) أحدهما يمثل حمل للآخر ، ...
أكمل القراءة »
فى الشرائح الإلكترونية الرقمية من عائلة الترانسستور BJT تصنع بها أيضا المقاومات والثنائيات والمكثفات فتجد عائلة TDL ، TDR ، أما فى الشرائح المجمعة للتترانسستور المجالى فتكن مقصورة عليها دون مكونات أخرى ، ويتم توظيف ترانسستور FET كمقاومة حمل لآخر كما فى ش (4) لدائرة عاكس فالترانسستور Q2 تجده مربوط البوابة (G2) مع المصرف D2 ليصبح فى وضع توصيل ...
أكمل القراءة »
رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-pJ مقدمة معظم تطبيقات ترانسستور FET فى الدوائر والنظم الرقمية مثل البوابات المنطقية والمسجلات الرقمية ومصفوفات الذاكرة بنوعيها ROM ، RAM رغم بطء سرعته مقارنة بالترانسستور BJT إلا أن ضآلة استهلاكه للطاقة وكثافة تجميع دوائره فى شرائح صغيرة تفضله على نظيره من ال BJT خاصة فى تطبيقات السرعات المنخفضة . ترانسستور المجال كعاكس (بوابة NOT) الوحدة البنائية ...
أكمل القراءة » مقدمة كما فى النوع -BJT) -Bipolar Junction Transistor ) لترانسستور المجال ثلاث أوضاع فى الدائرة متصلة الاشارة (Analog) ، مشترك المنبع (مشترك الباعث) ، مشترك المصرف CD (مشترك المجمع ) ، مشترك البوابة (مشترك القاعدة) ، والشائع استخداما منهم هو مشترك المنبع CS . وضع مشترك المنبع (CS) فى ش (1) النوع N فى وضع مشترك المنبع ، ومن خلال ...
أكمل القراءة »
رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-pe النوع الثانى من ال FET ذو البوابة المعزولة بأكسيد السليكون SiO2 – (Insulated Metal Oxcid FET وينقسم هو الآخر إلى نوعين طبقا لنوع قناة التوصيل ، النوع N والنوع P ، أما وجة الاختلاف بينه وبين النوع (Depletion) فإنه لاتوجد قناة توصيل طالما جهد البوابة صفر فولت فنفق التوصيل بين القطبين من نوع مخالف لهما ففى ...
أكمل القراءة » رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-p2 مقدمة فى النوع JFET من الترانسستور المجالى السابق شرحه والموضح تركيبه فى ش(4) البوابة تكون مع قناة التوصيل وصلة ثنائية (Junction) والتى اشتق منها اسم نوعه وتكون فى وضع انحياز عكسى ، أى يوجد اتصال ما بين البوابة وقناة التوصيل ، الترانسستور المجالى معزول البوابة فى النوع معزول البوابة كما فى ش (1) تم عزل ...
أكمل القراءة »
رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-oR تيار المصرف(المصب) Drain ) Id) المار من D إلى S تتوقف قيمته على متغيرين هما الفقد فى مقاومة القناة Vds ، وجهد البوابة Vgs ، فمقاومة قناة التوصيل تتغير بزيادة خنقها أو اتساعها نتيجة جهد الانحياز العكسى ، ولدراسة (Id ) كمتغير تابع فى تغيره لمتغيرين مستقلين (Vds ، Vgs) ندرس تغيره مع تغير احدهما ...
أكمل القراءة »
بوهر للتدريب الفنى الهندسة الكهربية والكهروميكانيكية