هندسة الالكترونيات

رابط ما قبله :https://wp.me/paiFWG-rJ   انحياز دائرة الترانسستور بطريقة التغذية العكسية فى الطريقة السابقة لاعداد جهود وتيارات نقطة التشغيل كان جهد القاعدة مستمد من جهد التغذية Vcc عبر المقاومة Rb أما فى اسلوب التغذية بمقاومة من جهد الخرج Vc وهى تغذية عكسية سالبة تؤدى إلى التحكم فى تيار القاعدة بناءا على قيمة حهد الخرج مما يضمن ثبات واستقرار نقطة التشغيل ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-rx مقدمة أما وقد استوعبنا مفهوم نقطة التشغيل لمكبر الترانسستور فى المنطقة الفاعلة Active Region وخلصنا إلى أنها وكما فى ش(1) القيم المستمرة DC من تيار المجمع ( وضع مشترك الباعث كمثال) Ic وحهد وصلته Vce عند قيمة مستمرة لتيار القاعدة يضمن وجود الترانسستور فى المنطقة الفاعلة (Vbe≥V cut in)  ، وبأساليب عديدة يمكن ضبط تلك القيم ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-rq الترانسستور -27- BJT ( نقطة التشغيل وانحياز دائرة الترانسستور ) نعاود توضيح معنى نقطة التشغيل لدائرة المكبر Quiescent Point بأنها قيم متغيرات دائرة الترانسستور من تيار وجهد وصلة المجمع وكذا تيار وجهد وصلة الباعث فى حال لا إشارة (Zero-Signal) أى القيم  المستمرة (DC) التى سوف تتأرجح حولها الإشارة فتقع بكامل محتوياتها موجبة أو سالبة فى النطاق ...

 رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-ri نقطة تشغيل الترانسستور Q Point –  Operating Point الترانسسور كمكبر يعمل فى المنطقة الفعالة (Active Region) والنى تحدها كما فى ش(1) نقطتا التشغيل A، B النقطة A تمثل حالى القطع Off والنقطة B تمثل حالة التشبع الخط AB يسمى خط الحمل وجميع نقاطه تمثل أوضاع تشغيل للترانسستور فى المنطقة الفاعلة وميل الخط المستقيم يساوى1/RL ، والنقطتان ...

ما قبله : https://wp.me/paiFWG-rg الترانسستور كمحول للمقاومة بعيدا عن المعادلات الرياضية لاستخراج  تكبير التيار والجهد ومقاومة الدخل وتوصيلية الخرج للمكبر فإن الهدف من الاسهاب فى تحليل الدائرة بنموذج (H)  هو أن نستوعب مدى تأثير مقاومة الحمل  فى التكبير سواءا كمكبر تيار أو مكبر جهد ففى الأول يتناسب عكسى وفى الثانى يتناسب طردى للأخذ فى الاعتبار قيمة المقاومة والمطلوب هل هو تكبير ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-re التوصلية لدائرة خرج الترانسستور  (Yo)   Admittance ) لمشترك الباعث بتطبيق نموذج (H) وهى عكس المقاومة وعموما = التيار ÷ الجهد فى النموذج H  لنمذجه الباعث المشترك ومن تعريف توصلية دائرة الخرج أنها تيار الخرج (I2) ÷ جهد الخرج (V2) والجهد Vs=0 ومقاومة الحمل مالانهاية (مفتوحة) وبتطبيق قانون كيرشوف للجهد فى دائرة الدخل فأن :- I1 .Rs ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-ra تكبير الجهد   (Av) فى الترانسستور مشترك الباعث Av=Vo/Vin =-I2.Rl/Vin                        (1 I2/I1=-Ai                                              (2 بالتعويض من (2) فى (1) Av =I1 .Ai .RL/vin                                 (3 Vin/IL =Rin                                           (4 وبالتعويض فى (3) Av = Ai .RL/Rin                                                     (5 لاحظ أنه كلما كانت مقاومة الحمل كبيرة كلما زاد تكبير الجهد لكن لاتنسى إنه فى المقابل ينخفضص تكبير التيار ومن ثم ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-r7 مقاومة الدخل للترانسستور مشترك الباعث وعلاقتها بمقاومة الحمل RL المقاومة = الجهد ÷ التيار   (قانون أوم) (Ri=Vin /I1          (1 (Vin=hiI1 +hrvo  (2 من (1) ، (2) Ri=(hiI1 +hrVo)/IL Ri=I1(hi +hrVo/I1)/IL (Ri=hi +hrVo/IL      (3 (Vo=-I2 RL     (4 بالتعويض عن Vo من (4) فى (3) ( Ri=hi + hrRL(-I2/I1  تكبير التيار Ai=-I2/I1 Ri=hi +hrRLAi نلاحظ الآتى :- مقاومة ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-oF تطبيق نموذج (H) فى دائرة مكبر الترانسستور فى ش  (1) دائرة مكبر  ترانسستور NPN مشترك الباعث ومصدر جهد (Vs) (إشارة – Signal) المطلوب تكبيرها  فى ش (2) تم احلال اطراف الترانسستور الثلاث بالشكل الصندوقى رباعى الاطراف (الباعث مشترك) مع الحفاظ على موضع العناصر المتصلة بدائرة خرج ودخل الترانسستور ففى الخرج مقاومة الحمل (RL) توازيا وفى الدخل ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-q6  CMOS كسوتش ثنائى الاتجاة لعكس حركة محرك DC  كأحد النماذج على استخدام المذدوج CMOS كمتحكم تشغيل محرك تيار مستمر فى الاتجاهين (سوتش قلاب اتجاة) ففى الدائرة(1) ترانسستور مجالى ذو البوابة المعزولة والقناة المحسنة Enhancement أحدهما نوع  موجب القناة (P)والآخر نوع سالب القناة (N)، يعملان على قضبى  تغذية أحدهما موجب FET1 والآخر سالب FET2 ومدخل بوابتيهما مشترك ...