هندسة الالكترونيات

أثر الشحنات الكهرواستاتيكية على العناصر الإلكترونية من أنصاف النواقل  فى تركيب الترانسستور  معزول البوابة MOSFET بنوعيه وكما أوضحنا من قبل غلالة رقيقة جدا سمكها بالميكرو مللى  من أكسيد السليكون  SiO2 تشكل طبقة عازلة بين قناة التوصيل فى الترانسستور والطبقة المعدنية المكونة لقطب البوابة (G)  تعمل بمثابة العازل الكهربى  (Dielectic) بين قطبين معدنيين كما فى تركيب المكثف  ، وتصل مقاومته إلى ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-q2   ترانسستور FET ومرافقه  Complementary MOSFET   نموزج  Complementary MOSFET) CMOS) اسلوب ممتاز لخفض استهلاك الطاقة فى دوائر ال FET الرقمية إلى أدنى مستوى (أقل من 40 نانو وات ) وهو استخدام مذدوج من نوعين مختلفين أحدهما قناة موجبة والآخر قناة سالبة  (N- MOSFET + P MOSFET)    فى شريحة واحدة تسمى (CMOS)  أحدهما يمثل حمل للآخر ، ...

  فى الشرائح الإلكترونية الرقمية من عائلة الترانسستور BJT تصنع بها أيضا المقاومات والثنائيات والمكثفات فتجد عائلة TDL ، TDR  ، أما فى الشرائح المجمعة للتترانسستور المجالى فتكن مقصورة عليها دون مكونات أخرى ، ويتم توظيف ترانسستور FET كمقاومة حمل لآخر كما فى ش (4) لدائرة عاكس فالترانسستور Q2 تجده مربوط البوابة  (G2) مع المصرف D2 ليصبح فى وضع توصيل ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-pJ مقدمة  معظم تطبيقات ترانسستور FET فى الدوائر والنظم الرقمية مثل البوابات المنطقية والمسجلات الرقمية ومصفوفات الذاكرة بنوعيها ROM ، RAM رغم بطء سرعته مقارنة بالترانسستور BJT إلا أن ضآلة استهلاكه للطاقة وكثافة تجميع دوائره فى شرائح صغيرة تفضله على نظيره من ال BJT خاصة فى تطبيقات السرعات المنخفضة  . ترانسستور المجال كعاكس (بوابة NOT) الوحدة البنائية ...

مقدمة  كما فى النوع  -BJT) -Bipolar Junction Transistor ) لترانسستور المجال ثلاث أوضاع فى الدائرة متصلة الاشارة (Analog)  ، مشترك المنبع (مشترك الباعث) ، مشترك المصرف CD (مشترك المجمع ) ، مشترك البوابة (مشترك القاعدة) ، والشائع استخداما منهم هو مشترك المنبع CS . وضع مشترك المنبع (CS) فى ش (1) النوع N  فى وضع مشترك المنبع ، ومن خلال ...

رابط ما قبله : https://wp.me/paiFWG-pe النوع الثانى من ال FET ذو البوابة المعزولة بأكسيد السليكون SiO2 – (Insulated Metal Oxcid FET  وينقسم هو الآخر إلى نوعين طبقا لنوع قناة التوصيل  ، النوع N والنوع P ، أما وجة الاختلاف بينه وبين النوع (Depletion) فإنه لاتوجد قناة توصيل طالما جهد البوابة صفر فولت فنفق التوصيل بين القطبين من نوع مخالف لهما ففى ...

رابط ما قبله :  https://wp.me/paiFWG-p2 مقدمة  فى النوع JFET من الترانسستور المجالى السابق شرحه والموضح تركيبه فى ش(4) البوابة تكون مع قناة التوصيل وصلة ثنائية (Junction)  والتى اشتق منها اسم نوعه وتكون فى وضع انحياز عكسى ، أى يوجد اتصال ما بين البوابة وقناة التوصيل ، الترانسستور المجالى معزول البوابة    فى النوع معزول البوابة كما فى ش (1)  تم عزل ...

رابط ما قبله :   https://wp.me/paiFWG-oR تيار المصرف(المصب)  Drain )   Id) المار من D إلى S تتوقف قيمته على متغيرين هما الفقد فى مقاومة القناة Vds ، وجهد البوابة Vgs  ، فمقاومة قناة التوصيل تتغير بزيادة خنقها أو اتساعها نتيجة  جهد الانحياز العكسى ، ولدراسة  (Id ) كمتغير تابع فى تغيره لمتغيرين مستقلين (Vds  ، Vgs) ندرس تغيره مع تغير احدهما ...

رابط ما قبله :  https://wp.me/paiFWG-oJ طبيعة تكوينه فى ش (1) تركيب ترانسستور مجالى JFET من نوع N ، عبارة عن قضيب من أشباة الموصلات النوع  السالب (N-Type) يمثل ممرا للتيار بين القطبين Drain (D) (المصب) (القطب الذى تغادر منه التيار إلى الدائرة الخارجية ) و( Sourse-S) المصدر (الذى تدخل إليه التيار من الدائرة الخارجية ) ، بحاملات للشحنة من النوع السالب ...