الرئيسية » هندسة الالكترونيات (صفحة 8)

هندسة الالكترونيات

الهندسة الألكترونية -27- (الترانسستور ثنائى القطبية-BJT) – مقاومة الدخل فى مكبر الترانسستور مشترك الباعث

الترانسستور يحدث توفيق بين مقاومة الحمل الصغيرة مثل مقاومة السماعة والمقاومة الداخلية للإشارة وذلك بنقلها إلى دائرة دخله بقيمة مكبرة بقدر تكبير التيار فيؤدى إلى مرور أكبر قدر من الاشارة إلى الحمل بعد تكبيرها تيارا وجهدا

أكمل القراءة »

الهندسة الإلكترونية -22- (الترانسستور ثنائى القطبية) منحنيات الخواص لدائرة الخرج فى الترانسستور مشترك الباعث CE

رابط ما قبله : https://bit.ly/2VFTzoT تيار المجمع Ic يعتمد فى تغيره على تغير تيار القاعدة وعلى تغير جهد وصلة المجمع وعند كل تيار للقاعدة نحصل على خط مستقيم يمثل العلاقة بين جهد المجمع وتياره بما يعرف بمنحنى الخواص  

أكمل القراءة »